三星砸150亿美元 护盘OLED领先优势

  竞争对手急起直追,三星电子冒冷汗,将豪掷17兆韩元(150亿美元),研发3D NANDflash和OLED,巩固领先优势。


  南韩先驱报29日报导,三星电子先前暗示,今年全年研发费用为26兆韩元,略高于去年的25.52兆韩元。今年上半该公司用掉了8.8兆韩元,意味还有17.2兆韩元。这笔钱会用在哪边?三星高层Lee Myung-jin给出方向,声称由于需求飙升,今年将专注于3D NAND和OLED面板。


  据传东芝(Toshiba)抢先研发出64层的3D NAND flash,并已送样。三星是头一个开发出3D NANDflash业者,目前仍是唯一有能力量产48层3D NAND flash的业者,为防对手抢单,今年三星将在南韩京几道工厂增加更多产线。


  OLED方面,三星电子也是中小型OLED面板的绝对霸主,市占率接近97%,预料将砸下10兆韩元,提升产能,为明年苹果OLED订单预作准备。三星计划把OLED产量,从当前的每月6万组,一年内拉升至7.5万组。分析师估计,明年底前三星将投资15兆韩元、发展OLED。


  LG Display苦追,宣布将再砸2兆韩元,投资小型OLED面板,希望2018年产线启动时,能分到部分苹果订单。


  南韩三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(Flash Memory)的厂商,不过最大竞争对手东芝追赶速度惊人,宣布已领先全球同业、研发出堆叠64层的3DFlash产品,且开始进行送样。


  东芝27日发布新闻稿宣布,已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术,并自今日起领先全球同业开始进行样品出货,且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。


  韩媒etnews、BusinessKorea报导,NAND flash获利较高,SK海力士也积极抢攻,今年下半将投资3兆韩圜,主要用于研发3DNAND flash,估计明年研发经费也有30-35%用于NAND,目标明年底3D NAND flash产出占整体NAND的50%以上。


  MoneyDJ新闻27日报导,紫光集团预计于武汉成立长江存储科技,未来将纳入武汉新芯并统筹旗下记忆体发展项目,目前整体规划朝NANDFlash产业发展。


  现阶段武汉新芯在NANDFlash的布局领先其他中国记忆体业者,与飞索半导体合作开发的3D-NANDFlash技术正持续往32层堆叠的初期量产目标迈进,今年3月也在大基金的支持下兴建新3D-NANDFlash厂,预计2018年上半年实现量产目标。


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