竞争对手急起直追，三星电子冒冷汗，将豪掷17兆韩元(150亿美元)，研发3D NANDflash和OLED，巩固领先优势。
南韩先驱报29日报导，三星电子先前暗示，今年全年研发费用为26兆韩元，略高于去年的25.52兆韩元。今年上半该公司用掉了8.8兆韩元，意味还有17.2兆韩元。这笔钱会用在哪边？三星高层Lee Myung-jin给出方向，声称由于需求飙升，今年将专注于3D NAND和OLED面板。
据传东芝(Toshiba)抢先研发出64层的3D NAND flash，并已送样。三星是头一个开发出3D NANDflash业者，目前仍是唯一有能力量产48层3D NAND flash的业者，为防对手抢单，今年三星将在南韩京几道工厂增加更多产线。
OLED方面，三星电子也是中小型OLED面板的绝对霸主，市占率接近97%，预料将砸下10兆韩元，提升产能，为明年苹果OLED订单预作准备。三星计划把OLED产量，从当前的每月6万组，一年内拉升至7.5万组。分析师估计，明年底前三星将投资15兆韩元、发展OLED。
LG Display苦追，宣布将再砸2兆韩元，投资小型OLED面板，希望2018年产线启动时，能分到部分苹果订单。
南韩三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(Flash Memory)的厂商，不过最大竞争对手东芝追赶速度惊人，宣布已领先全球同业、研发出堆叠64层的3DFlash产品，且开始进行送样。
东芝27日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术，并自今日起领先全球同业开始进行样品出货，且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。
韩媒etnews、BusinessKorea报导，NAND flash获利较高，SK海力士也积极抢攻，今年下半将投资3兆韩圜，主要用于研发3DNAND flash，估计明年研发经费也有30-35%用于NAND，目标明年底3D NAND flash产出占整体NAND的50%以上。
MoneyDJ新闻27日报导，紫光集团预计于武汉成立长江存储科技，未来将纳入武汉新芯并统筹旗下记忆体发展项目，目前整体规划朝NANDFlash产业发展。
现阶段武汉新芯在NANDFlash的布局领先其他中国记忆体业者，与飞索半导体合作开发的3D-NANDFlash技术正持续往32层堆叠的初期量产目标迈进，今年3月也在大基金的支持下兴建新3D-NANDFlash厂，预计2018年上半年实现量产目标。
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