Micro LED关键技术发展方向分析评论-转移技术篇

  集邦咨询LED研究中心(LEDinside)最新报告1Q17 Micro LED次世代显示技术市场会员报告表示,Micro LED关键技术发展方向涵盖四大面向,包含磊晶与芯片技术、转移技术、键结技术(Bonding)、彩色化方案等。


  转移技术


  薄膜转移的核心技术在于如何大量的抓取微米等级的薄膜磊晶,现阶段的抓取方式大致上可以区分为以物理特性去做抓取方式,或是以化学材料去做抓取。以物理性的抓取为例,LuxVue采取透过静电力吸附微小组件的方式。而化学性的抓取以X-Celeprint为代表,利用Elastomer Stamp为介质,并且利用凡德瓦力来做抓取。除此之外,还有许多厂商各自开发许多种抓取方式。


  薄膜转移的另一项核心技术在于如何去选择想要抓取的微米等级的薄膜磊晶,例如多数采用抓取力量的大小来控制想要选取的目标,例如前述提到的透过静电力,或是凡德瓦力,并针对想要特定抓取的目标施予不同程度的能量来做选择。除此之外,SONY也利用雷射烧灼的方式,来选取特定的目标目标。


  最后,一般用于封装前将LED芯片内部电路用金线与基板做连接与电路导通。但是由于Micro LED的芯片过于微小,已经没有办法用ㄧ般的金属打线方式来与基板结合,因此需要用其他的方式来与基板做集合。因此未来的技术发展重点在于拿何种材料来进行接合与转移。(文:Roger, Skavy, Joanne, Joey / LEDinside)


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